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| Artikel-Nr.: 3794E-1631114 Herst.-Nr.: NTJD1155LT1G EAN/GTIN: 5059042192858 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N, P Dauer-Drainstrom max. = 1,3 A Drain-Source-Spannung max. = 8 V Gehäusegröße = SOT-363 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 320 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1V Verlustleistung max. = 400 mW Transistor-Konfiguration = N+P-Loadswitch Gate-Source Spannung max. = +8 V Breite = 1.35mm Höhe = 1mm
Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor. Der NTJD1155L ist ein Zweikanal-MOSFET. Dieser MOSFET verfügt über P- und N-Kanäle in einem einzigen Gehäuse und ist hervorragend für niedrige Steuersignale, niedrige Batteriespannungen und hohe Lastströme geeignet. Der N-Kanal verfügt über einen internen ESD-Schutz und kann von Logiksignalen bis zu 1,5 V angesteuert werden, während der P-Kanal für den Einsatz in Lastschaltanwendungen konzipiert ist. Der P-Kanal wurde auch mit der Trench-Technologie von ON semi entwickelt. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 8 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 320 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Verlustleistung max.: | 400 mW | Transistor-Konfiguration: | N+P-Loadswitch | Gate-Source Spannung max.: | +8 V | Breite: | 1.35mm | Höhe: | 1mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: SMD-Taster, on semiconductor mosfet, smd schalter, mosfet 1,3 a, 1631114, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTJD1155LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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