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| Artikel-Nr.:
3794E-1631114 Herst.-Nr.:
NTJD1155LT1G EAN/GTIN:
5059042192858 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 1,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 8 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 320 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Verlustleistung max. = 400 mW
Transistor-Konfiguration = N+P-Loadswitch
Gate-Source Spannung max. = +8 V
Breite = 1.35mm
Höhe = 1mm
Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor. Der NTJD1155L ist ein Zweikanal-MOSFET. Dieser MOSFET verfügt über P- und N-Kanäle in einem einzigen Gehäuse und ist hervorragend für niedrige Steuersignale, niedrige Batteriespannungen und hohe Lastströme geeignet. Der N-Kanal verfügt über einen internen ESD-Schutz und kann von Logiksignalen bis zu 1,5 V angesteuert werden, während der P-Kanal für den Einsatz in Lastschaltanwendungen konzipiert ist. Der P-Kanal wurde auch mit der Trench-Technologie von ON semi entwickelt. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 1,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 8 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 320 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1V | Verlustleistung max.: | 400 mW | Transistor-Konfiguration: | N+P-Loadswitch | Gate-Source Spannung max.: | +8 V | Breite: | 1.35mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: SMD-Taster, on semiconductor mosfet, smd schalter, mosfet 1,3 a, 1631114, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTJD1155LT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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