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| Artikel-Nr.:
3794E-1631123 Herst.-Nr.:
NTK3134NT1G EAN/GTIN:
5059042025491 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 990 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-723
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,2 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1.2V
Verlustleistung max. = 550 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -6 V, +6 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 0.55mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 990 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-723 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,2 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 550 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -6 V, +6 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Höhe: | 0.55mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, 1631123, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTK3134NT1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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