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| Artikel-Nr.: 3794E-1632362 Herst.-Nr.: BD139G EAN/GTIN: 5059042200652 |
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![](/p.gif) | Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1,5 A Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V Gehäusegröße = TO-225 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 1,25 W Gleichstromverstärkung min. = 40 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Universal-NPN-Transistoren, über 1 A, ON Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 1,5 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 80 V | Gehäusegröße: | TO-225 | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 1,25 W | Gleichstromverstärkung min.: | 40 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: leistungstransistor, onsemi transistor, 1632362, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, BD139G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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