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| Artikel-Nr.:
3794E-1632502 Herst.-Nr.:
MJE15028G EAN/GTIN:
5059042461282 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 8 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 120 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Verlustleistung max. = 50 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 120 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 30 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 9.28 x 10.28 x 4.82mm
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 8 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 120 V | Gehäusegröße: | TO-220AB | Montage-Typ: | THT | Verlustleistung max.: | 50 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 120 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 30 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 9.28 x 10.28 x 4.82mm |
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| Weitere Suchbegriffe: onsemi transistor, 1632502, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJE15028G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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