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| Artikel-Nr.:
3794E-1632689 Herst.-Nr.:
NTR1P02T1G EAN/GTIN:
5059042174366 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 1 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Verlustleistung max. = 400 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.3mm
Höhe = 0.94mm
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 180 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Verlustleistung max.: | 400 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.3mm | Höhe: | 0.94mm |
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| Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, 1632689, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTR1P02T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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