|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1655144 Herst.-Nr.:
DN3135K1-G EAN/GTIN:
5059040137974 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 72 mA
Drain-Source-Spannung max. = 350 V
Gehäusegröße = SOT-23
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 35 Ω
Channel-Modus = Depletion
Verlustleistung max. = 360 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -3,5 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Diodendurchschlagsspannung = 1.8V
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Verarmungsmodus. Die Supertex-Serie von N-Kanal Verarmungs-DMOS-FET-Transistoren von Microchip sind für Anwendungen geeignet, bei denen hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordert sind. Merkmale. Hohe Eingangsimpedanz Niedrige Eingangskapazität Schnelle Schaltgeschwindigkeiten Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Frei von sekundärer Durchschlagsspannung Niedriger Eingangs- und Leckstrom. Typische Anwendungen:. Schließerschalter Halbleiterrelais Wandler Lineare Verstärker Konstantstrom-Quellen Netzteilschaltungen Telekommunikation Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 72 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 350 V | Gehäusegröße: | SOT-23 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 35 Ω | Channel-Modus: | Depletion | Verlustleistung max.: | 360 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -3,5 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Diodendurchschlagsspannung: | 1.8V |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet sot-23, smd transistor, 1655144, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Microchip, DN3135K1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |