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| Artikel-Nr.: 3794E-1655345 Herst.-Nr.: STN3P6F6 EAN/GTIN: 5059042527407 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 3 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = STripFET Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 160 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 2,6 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 3.7mm Höhe = 1.8mm
P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | STripFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 160 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 2,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 3.7mm | Höhe: | 1.8mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 1655345, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STN3P6F6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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