|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1655345 Herst.-Nr.:
STN3P6F6 EAN/GTIN:
5059042527407 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = STripFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 160 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 2,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 3.7mm
Höhe = 1.8mm
P-Kanal-STripFET™-Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Serie: | STripFET | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 160 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 2,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 3.7mm | Höhe: | 1.8mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 1655345, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STN3P6F6, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |