Infineon HEXFET IRF2807ZSTRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 89 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 89 A
Drain-Source-Spannung max. = 75 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 170 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 9.65mm
Höhe = 4.83mm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V bis 80 V, Infineon. Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.