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| Artikel-Nr.: 3794E-1656062 Herst.-Nr.: V4PAN50-M3/I EAN/GTIN: 5059040658547 |
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| Montage-Typ = SMD Gehäusegröße = DO-221BC Dauer-Durchlassstrom max. = 4A Spitzen-Sperrspannung periodisch = 50V Diodenkonfiguration = Einfach Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode Diode Typ = Schottky Pinanzahl = 2 Maximaler Spannungsabfall = 590mV Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Diodentechnologie = Schottky Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 80A
TMBS – Trench MOS-Schottky-Gleichrichter, bis zu 20 A, Vishay Semiconductor. Die Trench MOS-Schottky-Gleichrichterserie (TMBS) von Vishay enthält eine patentierte Trench-Struktur. TMBS-Gleichrichter bieten mehrere Vorteile gegenüber planaren Schottky-Gleichrichtern. Bei Betriebsspannungen von 45 V und mehr können planare Schottky-Gleichrichter ihren Vorteil von schnellen Schaltgeschwindigkeiten und niedrigem Durchlassspannungsabfall beträchtlich einbüßen. Die patentierte TMBS-Struktur löst diese Probleme durch die Verringerung der Injektionen von Minoritätsladungsträgern, wodurch gespeicherte Aufladungen minimiert und Schaltfrequenzen verbessert werden. Merkmale. Patentierte Trench-Struktur Verbesserte Effizienz in AC/DC-Schaltnetzteilen und DC/DC-Wandlern Hohe Leistungsdichte und niedrige Durchlassspannung Weitere Informationen: | | Montage-Typ: | SMD | Gehäusegröße: | DO-221BC | Dauer-Durchlassstrom max.: | 4A | Spitzen-Sperrspannung periodisch: | 50V | Diodenkonfiguration: | Einfach | Gleichrichter-Typ: | Schottky-Diode | Diode Typ: | Schottky | Pinanzahl: | 2 | Maximaler Spannungsabfall: | 590mV | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Diodentechnologie: | Schottky | Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: | 80A |
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| Weitere Suchbegriffe: 1656062, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Schottky-Dioden und Gleichrichter, Vishay, V4PAN50M3I, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Schottky Diodes & Rectifiers |
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