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| Artikel-Nr.:
3794E-1656283 Herst.-Nr.:
SI9407BDY-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040650930 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 3,8 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4mm
Höhe = 1.55mm
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 3,8 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 150 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 4mm | Höhe: | 1.55mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1656283, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI9407BDYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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