|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1657104 Herst.-Nr.:
SIHG32N50D-GE3 EAN/GTIN:
5059040656819 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 390 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 20.82mm
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 500 V | Gehäusegröße: | TO-247AC | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 150 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 390 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 20.82mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 30a, 1657104, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIHG32N50DGE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |