|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1657226 Herst.-Nr.:
SI4532CDY-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040657458 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 4,3 A, 6 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ, 140 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2,78 W
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1.5mm
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 4,3 A, 6 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOIC | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 65 mΩ, 140 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2,78 W | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1.5mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 1657226, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI4532CDYT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |