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| Artikel-Nr.:
3794E-1657247 Herst.-Nr.:
SI1308EDL-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040651395 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SOT-323
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 185 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V
Verlustleistung max. = 400 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Breite = 1.35mm
Höhe = 1mm
N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 1,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-323 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 185 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 400 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Breite: | 1.35mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, 1657247, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI1308EDLT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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