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| Artikel-Nr.:
3794E-1657543 Herst.-Nr.:
STN1NK80Z EAN/GTIN:
5059042382815 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 250 mA
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Serie = MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 16 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 3.5mm
Höhe = 1.8mm
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 250 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Serie: | MDmesh, SuperMESH | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 16 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 3.5mm | Höhe: | 1.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, stm mosfet, smd transistor, mosfet sot-223, 1657543, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STN1NK80Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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