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| Artikel-Nr.: 3794E-1658421 Herst.-Nr.: DMT6016LFDF-7 EAN/GTIN: 5059043989822 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 11,1 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = U-DFN2020 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 27 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 3V Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 1,9 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 2.05mm Höhe = 0.58mm
N-Kanal-MOSFET, 40 V bis 90 V, Diodes Inc Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | U-DFN2020 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 27 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,9 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 2.05mm | Höhe: | 0.58mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, 1658421, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, DiodesZetex, DMT6016LFDF7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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