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| Artikel-Nr.:
3794E-1659769 Herst.-Nr.:
PMN35EN,115 EAN/GTIN:
5059043124698 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = TSOP-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 31 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 4,17 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.7mm
Höhe = 1mm
N-Kanal-MOSFET, bis zu 30 V Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | TSOP-6 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 31 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 4,17 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.7mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1659769, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMN35EN,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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