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| Artikel-Nr.:
3794E-1659783 Herst.-Nr.:
PBSS8110X,135 EAN/GTIN:
5059043869162 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 1 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V
Gehäusegröße = SOT-89
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 2 W
Gleichstromverstärkung min. = 150
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 120 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 4.6 x 2.6 x 1.6mm
NPN-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-NPN-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 1 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-89 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 2 W | Gleichstromverstärkung min.: | 150 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 120 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 4.6 x 2.6 x 1.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1659783, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS8110X,135, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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