| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-1659977 Herst.-Nr.: NX3008PBKW,115 EAN/GTIN: 5059043286945 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 200 mA Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 6,5 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 1.1V Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V Verlustleistung max. = 830 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V Breite = 1.35mm Höhe = 1mm
P-Kanal-MOSFET, Nexperia Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 200 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-323 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 6,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 1.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 830 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Breite: | 1.35mm | Höhe: | 1mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 1659977, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, NX3008PBKW,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |