| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-1660000 Herst.-Nr.: PBSS4041PX,115 EAN/GTIN: 5059043281728 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –5 A Kollektor-Emitter-Spannung = –60 V Gehäusegröße = SOT-89 Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 2,5 W Gleichstromverstärkung min. = 200 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = –60 V Basis-Emitter Spannung max. = –5 V Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Abmessungen = 4.6 x 2.6 x 1.6mm
PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –5 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –60 V | Gehäusegröße: | SOT-89 | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 2,5 W | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | –60 V | Basis-Emitter Spannung max.: | –5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 4.6 x 2.6 x 1.6mm |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1660000, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS4041PX,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |