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| Artikel-Nr.:
3794E-1660054 Herst.-Nr.:
BSS84AKW,115 EAN/GTIN:
5059043300337 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 150 mA
Drain-Source-Spannung max. = 50 V
Gehäusegröße = SOT-323
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 7,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.1V
Verlustleistung max. = 310 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 1.35mm
Höhe = 1mm
P-Kanal-MOSFET, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 150 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-323 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.1V | Verlustleistung max.: | 310 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.35mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1660054, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BSS84AKW,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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