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| Artikel-Nr.: 3794E-1660054 Herst.-Nr.: BSS84AKW,115 EAN/GTIN: 5059043300337 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 150 mA Drain-Source-Spannung max. = 50 V Gehäusegröße = SOT-323 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 7,5 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.1V Gate-Schwellenspannung min. = 1.1V Verlustleistung max. = 310 mW Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 1.35mm Höhe = 1mm
P-Kanal-MOSFET, Nexperia Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 150 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-323 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 7,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.1V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.1V | Verlustleistung max.: | 310 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 1.35mm | Höhe: | 1mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 1660054, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BSS84AKW,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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