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| Artikel-Nr.: 3794E-1660480 Herst.-Nr.: PBSS5330X,115 EAN/GTIN: 5059043299426 |
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![](/p.gif) | Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –3 A Kollektor-Emitter-Spannung = –30 V Gehäusegröße = UPAK Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 1,6 W Gleichstromverstärkung min. = 200 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 30 V Basis-Emitter Spannung max. = 6 V Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Abmessungen = 1.6 x 4.6 x 2.6mm
PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –3 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –30 V | Gehäusegröße: | UPAK | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,6 W | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 30 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 4 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 1.6 x 4.6 x 2.6mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1660480, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS5330X,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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