| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-1660482 Herst.-Nr.: PBSS5350X,115 EAN/GTIN: 5059043786018 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –3 A Kollektor-Emitter-Spannung = –50 V Gehäusegröße = UPAK Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 1,6 W Gleichstromverstärkung min. = 200 Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor-Basis-Spannung max. = 50 V Basis-Emitter Spannung max. = 5 V Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz Pinanzahl = 4 Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Betriebstemperatur max. = +150 °C
PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –3 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –50 V | Gehäusegröße: | UPAK | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,6 W | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 50 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 4 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1660482, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS5350X,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |