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| Artikel-Nr.:
3794E-1660616 Herst.-Nr.:
PBSS4240V,115 EAN/GTIN:
5059043336626 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 2 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 40 V
Gehäusegröße = SSMini
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 1,2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 40 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 150 MHz
Pinanzahl = 6
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
NPN-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-NPN-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 2 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 40 V | Gehäusegröße: | SSMini | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 1,2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 40 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 150 MHz | Pinanzahl: | 6 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1660616, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS4240V,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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