|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1661255 Herst.-Nr.:
PBSS9110X,135 EAN/GTIN:
5059043301570 |
| |
|
| | |
| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -1 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –100 V
Gehäusegröße = UPAK
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 2 W
Gleichstromverstärkung min. = 150
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 120 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 100 MHz
Pinanzahl = 4
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +150 °C
PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -1 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –100 V | Gehäusegröße: | UPAK | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 2 W | Gleichstromverstärkung min.: | 150 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 120 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 100 MHz | Pinanzahl: | 4 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1661255, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS9110X,135, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| | |
| |