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| Artikel-Nr.:
3794E-1661469 Herst.-Nr.:
PBSS5160U,115 EAN/GTIN:
5059043304298 |
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| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = -1 A
Kollektor-Emitter-Spannung = –60 V
Gehäusegröße = UMT
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 415 mW
Gleichstromverstärkung min. = 200
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Arbeitsfrequenz max. = 185 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 1 x 2.2 x 1.35mm
PNP-Transistoren mit niedriger Sättigung. Eine Serie von bipolaren NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Spannungs-PNP-Junction-Transistoren. Diese Bauelemente bieten sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen und hohe Strombelastbarkeit am Kollektor in kompakten, platzsparenden Gehäusen. Die reduzierten Verluste dieser Transistoren führen zu einer verringerten Wärmeentwicklung und einer Steigerung der Gesamteffizienz bei Verwendung in Schalt- und Digitalanwendungen. Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | -1 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | –60 V | Gehäusegröße: | UMT | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 415 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 200 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 80 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 185 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 1 x 2.2 x 1.35mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1661469, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Nexperia, PBSS5160U,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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