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| Artikel-Nr.:
3794E-1661566 Herst.-Nr.:
BSP225,115 EAN/GTIN:
5059043282466 |
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| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 225 mA
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 15 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.8V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.8V
Verlustleistung max. = 1,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Höhe = 1.7mm
P-Kanal-MOSFET, Nexperia Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 225 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 15 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.8V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.8V | Verlustleistung max.: | 1,5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 1.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1661566, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, BSP225,115, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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