|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1661650 Herst.-Nr.:
FDG6316P EAN/GTIN:
5059042286885 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 700 mA
Drain-Source-Spannung max. = 12 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 650 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 300 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 1,7 nC @ 4,5 V
Höhe = 1mm
Zweifach-P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt. Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration. Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 700 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 12 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 650 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 300 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 1,7 nC @ 4,5 V | Höhe: | 1mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: 1661650, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDG6316P, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |