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| Artikel-Nr.:
3794E-1661651 Herst.-Nr.:
FDG6332C EAN/GTIN:
5059042523027 |
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| Channel-Typ = N, P
Dauer-Drainstrom max. = 600 mA, 700 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-363
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 442 mΩ, 700 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.3V
Verlustleistung max. = 300 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V
Breite = 1.25mm
Höhe = 1mm
Kfz-Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor. Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N, P | Dauer-Drainstrom max.: | 600 mA, 700 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 442 mΩ, 700 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.3V | Verlustleistung max.: | 300 mW | Transistor-Konfiguration: | Isoliert | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Breite: | 1.25mm | Höhe: | 1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1661651, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDG6332C, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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