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| Artikel-Nr.:
3794E-1661667 Herst.-Nr.:
FDT86106LZ EAN/GTIN:
5059042289114 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,2 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 189 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 2,2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 6.7mm
Höhe = 1.7mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3,2 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 189 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 2,2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 6.7mm | Höhe: | 1.7mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet sot-223, 1661667, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDT86106LZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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