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| Artikel-Nr.:
3794E-1661819 Herst.-Nr.:
FDMA410NZ EAN/GTIN:
5059042267297 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 50 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 900 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +8 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 10 nC @ 4,5 V
Höhe = 0.75mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9,5 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Serie: | PowerTrench | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 50 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 900 mW | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –8 V, +8 V | Gate-Ladung typ. @ Vgs: | 10 nC @ 4,5 V | Höhe: | 0.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 1661819, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDMA410NZ, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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