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| Artikel-Nr.:
3794E-1662832 Herst.-Nr.:
FDS6692A EAN/GTIN:
5059042265224 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 19 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.2V
Verlustleistung max. = 1,47 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 9 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | PowerTrench | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 19 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.2V | Verlustleistung max.: | 1,47 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1662832, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDS6692A, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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