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| Artikel-Nr.:
3794E-1662964 Herst.-Nr.:
FDMS8320L EAN/GTIN:
5059042524734 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A, 238 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Gehäusegröße = PQFN8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 1,7 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 104 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Betriebstemperatur min. = –55 °C
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A, 238 A | Drain-Source-Spannung max.: | 40 V | Gehäusegröße: | PQFN8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,7 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 104 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 100a, 1662964, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDMS8320L, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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