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| Artikel-Nr.: 3794E-1663509 Herst.-Nr.: FDMS86200DC EAN/GTIN: 5059042527445 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 40 A Drain-Source-Spannung max. = 150 V Serie = PowerTrench Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 35 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 125 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Breite = 5.85mm Höhe = 1mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 40 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Serie: | PowerTrench | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 35 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Breite: | 5.85mm | Höhe: | 1mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: smd transistor, 40a mosfet, 1663509, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDMS86200DC, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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