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| Artikel-Nr.: 3794E-1663629 Herst.-Nr.: FDC855N EAN/GTIN: 5059042525410 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 6,1 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = PowerTrench Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 1,6 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Höhe = 1mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | PowerTrench | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 39 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet sot-23, smd transistor, on semiconductor mosfet, 1663629, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDC855N, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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