|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1663629 Herst.-Nr.:
FDC855N EAN/GTIN:
5059042525410 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6,1 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Höhe = 1mm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 6,1 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | PowerTrench | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 39 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 1,6 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet sot-23, smd transistor, on semiconductor mosfet, 1663629, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDC855N, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |