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| Artikel-Nr.: 3794E-1684585 Herst.-Nr.: IXXH80N65B4H1 EAN/GTIN: 5059041305464 |
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![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 430 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-247AD Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Schaltgeschwindigkeit = 5 → 30kHz Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 16.1 x 5.2 x 21.3mm Nennleistung = 5.2mJ
IGBTs, diskret, IXYS Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 430 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 650 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Anzahl an Transistoren: | 1 | Gehäusegröße: | TO-247AD | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 5 → 30kHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 16.1 x 5.2 x 21.3mm | Nennleistung: | 5.2mJ |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, 1684585, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXXH80N65B4H1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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