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IXYS IGBT / 430 A ±20V max. , 650 V 625 W, 3-Pin TO-247AD N-Kanal


Menge:  Packung  
Produktinformationen
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IXYS IGBT / 430 A ±20V max. , 650 V 625 W, 3-Pin TO-247AD N-Kanal
Artikel-Nr.:
     3794E-1684585
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXXH80N65B4H1
EAN/GTIN:
     5059041305464
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
ixys igbt
Dauer-Kollektorstrom max. = 430 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247AD
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 5 → 30kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.1 x 5.2 x 21.3mm
Nennleistung = 5.2mJ

IGBTs, diskret, IXYS
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
430 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
650 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Anzahl an Transistoren:
1
Gehäusegröße:
TO-247AD
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Schaltgeschwindigkeit:
5 → 30kHz
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
16.1 x 5.2 x 21.3mm
Nennleistung:
5.2mJ
Weitere Suchbegriffe: igbt, 1684585, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXXH80N65B4H1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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