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| Artikel-Nr.:
3794E-1684753 Herst.-Nr.:
IXFN44N80Q3 EAN/GTIN:
5059041331203 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 37 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Serie = HiperFET, Q3-Class
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 6.5V
Verlustleistung max. = 780 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 25.07mm
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q3. Die HiperFET™ Leistungs-MOSFETs der Klasse IXYS Q3 sind für hartes Schalten wie auch für Resonanzmodusanwendungen geeignet und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte umfassen eine schnelle integrierte Diode und sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Ausführungen sowie mit Nennwerten bis zu 1100 V und 70 A erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, Batterieladegeräte, Schalt- Resonanztyp-Netzteile, DC-Chopper, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung. Schnelle interne Gleichrichterdiode Niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung) Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand Industriestandard-Gehäuse Niedrige Gehäuseinduktivität Hohe Leistungsdichte Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 37 A | Drain-Source-Spannung max.: | 800 V | Serie: | HiperFET, Q3-Class | Montage-Typ: | Schraubmontage | Pinanzahl: | 4 | Drain-Source-Widerstand max.: | 190 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 6.5V | Verlustleistung max.: | 780 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 25.07mm | Höhe: | 9.6mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1684753, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXFN44N80Q3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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