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ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 730nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
3794E-1685375
Hersteller:
ams OSRAM
Herst.-Nr.:
SFH 309 FA-3/4
EAN/GTIN:
5059041334488
Suchbegriffe:
Fototransistor
fototransistor
Erkennbare Spektren = IR
Fallzeit typ. = 7µs
Regelanstiegszeit = 7µs
Anzahl der Kanäle = 1
Lichtstrom max. = 4500µA
Dunkelstrom max. = 200nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel = 24°
Polarität = NPN
Anzahl der Pins = 2
Montage Typ = THT
Gehäusetyp = 3 mm (T-1)
Abmessungen = 4 x 4 x 5.2mm
Kollektorstrom = 15mA
Wellenlänge max. = 1120nm
Länge = 4mm
T-1-Gehäuse (3 mm) des Fototransistors. Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 3-mm-(T-1)-Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.. Standard-3-mm-(T-1)-Gehäuse Durchgangsbohrung
Weitere Informationen:
Erkennbare Spektren:
IR
Fallzeit typ.:
7µs
Regelanstiegszeit:
7µs
Anzahl der Kanäle:
1
Lichtstrom max.:
4500µA
Dunkelstrom max.:
200nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel:
24°
Polarität:
NPN
Anzahl der Pins:
2
Montage Typ:
THT
Gehäusetyp:
3 mm (T-1)
Abmessungen:
4 x 4 x 5.2mm
Kollektorstrom:
15mA
Wellenlänge max.:
1120nm
Länge:
4mm
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Displays und Optoelektronik
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Optokoppler und Photodetektoren
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Fototransistoren
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