| |
|
| Artikel-Nr.: 3794E-1686099 Herst.-Nr.: STP10NK60Z EAN/GTIN: 5059042335217 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 10 A Drain-Source-Spannung max. = 600 V Serie = MDmesh, SuperMESH Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 750 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V Gate-Schwellenspannung min. = 3V Verlustleistung max. = 115 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V Breite = 4.6mm Höhe = 9.15mm
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 10 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | MDmesh, SuperMESH | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 750 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 3V | Verlustleistung max.: | 115 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 4.6mm | Höhe: | 9.15mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet, 1686099, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP10NK60Z, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |