| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 3794E-1687764 Herst.-Nr.: GT20J341 EAN/GTIN: 5059041371827 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±25V Verlustleistung max. = 45 W Gehäusegröße = TO-220SIS Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Schaltgeschwindigkeit = 100kHz Transistor-Konfiguration = Einfach Abmessungen = 10 x 4.5 x 15mm Betriebstemperatur max. = +150 °C
IGBTs, diskret, Toshiba Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Dauer-Kollektorstrom max.: | 20 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 600 V | Gate-Source Spannung max.: | ±25V | Verlustleistung max.: | 45 W | Gehäusegröße: | TO-220SIS | Montage-Typ: | THT | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 3 | Schaltgeschwindigkeit: | 100kHz | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 10 x 4.5 x 15mm | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt, 1687764, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, GT20J341, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |