|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1687963 Herst.-Nr.:
TK20E60W,S1VX(S EAN/GTIN:
5059041341127 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = TK
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 155 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 165 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.45mm
Höhe = 15.1mm
MOSFET N-Kanal, Serie TK2x, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 20 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | TK | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 155 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Verlustleistung max.: | 165 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 4.45mm | Höhe: | 15.1mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: mosfet 20a, 1687963, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK20E60W,S1VX(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |