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| Artikel-Nr.:
3794E-1687989 Herst.-Nr.:
TK62N60W,S1VF(S EAN/GTIN:
5059041368957 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 62 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = TK
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 400 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.02mm
Höhe = 20.95mm
MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 62 A | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Serie: | TK | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 40 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 3.7V | Verlustleistung max.: | 400 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Breite: | 5.02mm | Höhe: | 20.95mm |
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| Weitere Suchbegriffe: toshiba mosfet, mosfet, 1687989, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Toshiba, TK62N60W,S1VF(S, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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