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| Artikel-Nr.:
3794E-1702351 Herst.-Nr.:
BSC500N20NS3GATMA1 EAN/GTIN:
5059043204932 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 50 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 96 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Die Produkte der Serie 200V OptiMOS™ von Infineon enthalten führende Technologien und sind perfekt geeignet für die synchrone Gleichrichtung in 48-V-Systemen, DC/DC-Wandler, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Wechselrichter für DC-MotorantriebeBranchenweit niedrigster R DS(on) Niedrigste Q g und Q gd Halogenfrei Vorteile: Höchster Wirkungsgrad Höchste Leistungsdichte Geringster Platzbedarf auf der Platine Minimale Parallelschaltung erforderlich Verbesserung der Systemkosten Umweltfreundlich Einfach zu integrierende Produkte Anwendungsbereiche: Synchrone Gleichrichtung für AC/DC-Schaltnetzteile Motorsteuerung für 48–110-V-Systeme Isolierte DC/DC-Wandler Beleuchtung für Netze mit 110 V ac HID-Lampen Audioverstärker der Klasse D Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) Netzteile für LED-Beleuchtung Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 24 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Serie: | OptiMOS™ 3 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 50 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 96 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1702351, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC500N20NS3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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