|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-1704846 Herst.-Nr.:
PMV30UN2R EAN/GTIN:
5059043821009 |
| |
|
| | |
| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,4 A
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Serie = PMV30UN2
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 0.9V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 12 V
Breite = 1.4mm
Höhe = 1mm
Schaltlösungen für Ihre tragbaren Designs. Wählen Sie aus einer Vielzahl von Einfach- und Zweifach-N-Kanal-MOSFETs bis zu 20 V. Großartige Zuverlässigkeit aufgrund unserer bewährten TrenchMOS- und Gehäusetechnologien. Unsere Niederspannungs-MOSFETs sind einfach zu verwenden und wurden eigens entwickelt, um die Anforderungen mobiler Anwendungen mit niedrigen Treiberspannungen zu erfüllen.N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.Trench MOSFET-Technologie Niedrige Schwellenspannung Sehr schnelle Schaltung Verbessertes Verlustleistungsvermögen von 1000 mW Anwendungsbereiche LED-Treiber Ausschalten Low-Side-Lastschalter Schalten von Stromkreisen Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 20 V | Serie: | PMV30UN2 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 100 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 0.9V | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.4V | Verlustleistung max.: | 5 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 12 V | Breite: | 1.4mm | Höhe: | 1mm |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, feldeffekttransistor, 1704846, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Nexperia, PMV30UN2R, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
| | |
| |