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| Artikel-Nr.:
3794E-1711945 Herst.-Nr.:
IPD200N15N3GATMA1 EAN/GTIN:
5059043822648 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 20 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 150 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Breite = 9.45mm
Höhe = 4.57mm
Der Infineon IPD200N15N3 G ist 150 V OptiMOS erreicht eine Reduzierung des R DS(on) von 40 % und von 45 % in der Leistungszahl (FOM) im Vergleich zum nächstbesten Mitbewerber. Diese drastische Verbesserung eröffnet neue Möglichkeiten wie den Übergang von bleihaltigen auf SMD-Gehäuse oder den effektiven Austausch von zwei alten Teilen durch ein OptiMOS-Teil.Ausgezeichnetes Schaltvermögen Weltweit niedrigster R DS(on) Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 50 A | Drain-Source-Spannung max.: | 150 V | Serie: | OptiMOS™ 3 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 20 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 150 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Breite: | 9.45mm | Höhe: | 4.57mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet dpak, 1711945, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IPD200N15N3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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