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| Artikel-Nr.:
3794E-1711952 Herst.-Nr.:
BSC12DN20NS3GATMA1 EAN/GTIN:
5059043822846 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = OptiMOS™ 3
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 125 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 50 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 20 V
Breite = 6.35mm
Höhe = 1.1mm
Die Infineon BSC12DN20NS3 G 200V OptiMOS-Produkte sind leistungsführende Referenztechnologien, perfekt geeignet für synchrone Gleichrichtung in 48-V-Systemen, DC/DC-Wandlern, unterbrechungsfreien Netzteilen (USV) und Wechselrichtern für DC-Motorantriebe.Höchster Wirkungsgrad Höchste Leistungsdichte Geringster Platzbedarf auf der Platine Minimale Parallelschaltung erforderlich Verbesserung der Systemkosten Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 11,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Serie: | OptiMOS™ 3 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 125 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 50 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | 20 V | Breite: | 6.35mm | Höhe: | 1.1mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, 1711952, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSC12DN20NS3GATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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