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| Artikel-Nr.: 3794E-1718365 Herst.-Nr.: NTTFS4C02NTAG EAN/GTIN: 5059042144932 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 29 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Serie = NTTFS4C02N Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 8 Drain-Source-Widerstand max. = 3,1 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.2V Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V Verlustleistung max. = 4,2 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = ±20 V Breite = 3.15mm Höhe = 0.75mm Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 29 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Serie: | NTTFS4C02N | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 3,1 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.2V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3V | Verlustleistung max.: | 4,2 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±20 V | Breite: | 3.15mm | Höhe: | 0.75mm |
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| Weitere Suchbegriffe: 1718365, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NTTFS4C02NTAG, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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