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ROHM R6024ENJ R6024ENJTL N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 24 A 245 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
3794E-1720366
Hersteller:
ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
R6024ENJTL
EAN/GTIN:
5059043561554
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
rohm mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = R6024ENJ
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 320 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 245 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 9.2mm
Höhe = 4.7mm
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
24 A
Drain-Source-Spannung max.:
600 V
Serie:
R6024ENJ
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
320 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4V
Gate-Schwellenspannung min.:
2V
Verlustleistung max.:
245 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±30 V
Breite:
9.2mm
Höhe:
4.7mm
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Mosfet
Weitere Suchbegriffe:
mosfet d2pak
,
1720366
,
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,
Diskrete Halbleiter
,
ROHM
,
R6024ENJTL
,
Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
MOSFETs
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