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onsemi FCB070N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
3794E-1723418
Hersteller:
onsemi
Herst.-Nr.:
FCB070N65S3
EAN/GTIN:
5059042164862
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 70 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 312 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 9.65mm
Höhe = 4.83mm
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
44 A
Drain-Source-Spannung max.:
650 V
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
70 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
4.5V
Gate-Schwellenspannung min.:
2.5V
Verlustleistung max.:
312 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
±30 V
Breite:
9.65mm
Höhe:
4.83mm
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Mosfet
Weitere Suchbegriffe:
mosfet d2pak
,
1723418
,
Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
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onsemi
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FCB070N65S3
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Semiconductors
,
Discrete Semiconductors
,
MOSFETs
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