onsemi FCB199N65S3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 14 A 98 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 14 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 199 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 98 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Höhe = 4.83mm

SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.700 V bei TJ = 150 °C Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur Ultraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 30 nC) Geringere Schaltverluste Niedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 277 pF) Geringere Schaltverluste Optimierte Kapazität Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation Interner Gate-Widerstand: 7,0 Ohm Geringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-Oszillation Typ. RDS(on) = 170 mΩ