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| Artikel-Nr.:
3794E-1724634 Herst.-Nr.:
FCPF067N65S3 EAN/GTIN:
5059042531657 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-220F
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 67 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 46 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 4.9mm
Betriebstemperatur min. = –55 °C
SuperFET® III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. Somit ist SuperFET III MOSFET sehr gut in verschiedenen Stromsystemen zur Miniaturisierung und für höhere Effizienz geeignet.700 V bei TJ = 150 °CHöhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger TemperaturUltraniedrige Gatterladung (typ. Qg = 78 nC)Geringere SchaltverlusteNiedrige effektive Ausgangskapazität (typ. Coss (eff.) = 715 pF)Geringere SchaltverlusteOptimierte KapazitätGeringer Vds-Spitzenwert und geringere Vgs-OszillationTyp. RDS(on) = 62 mΩSchwall-Lötverfahren-GarantieComputerTelekommunikationIndustrieausführungTelekommunikation/ServerSolar-Wechselrichter/UPSEVC Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 44 A | Drain-Source-Spannung max.: | 650 V | Gehäusegröße: | TO-220F | Montage-Typ: | THT | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 67 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4.5V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2.5V | Verlustleistung max.: | 46 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | ±30 V | Breite: | 4.9mm | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: 1724634, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FCPF067N65S3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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